Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-Ch 40V 4670pF 63.4nC 82A 36W

Подробное описание

Основные
вес, г	2
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 175 C

390 ₽

– +

Бонус: 7.8 !

Бонусная программа

Итого: 390 ₽

Купить

Основные
вес, г	2
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	50
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Toshiba
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-220-3
серия	TK3R1A04
длина	10 mm
время нарастания	12 ns
время спада	27 ns
коммерческое обозначение	U-MOSIX-H
pd - рассеивание мощности	36 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	82 A
qg - заряд затвора	63.4 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	2.5 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	40 V
vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.4 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	83 ns
типичное время задержки при включении	28 ns
Высота	15 мм
Ширина	4.5 мм

Отзывов нет

Кнопки