Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор PWR MOS PD=80W F=1MHZ

Подробное описание

Основные
вес, г	0.36
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C

350 ₽

– +

Бонус: 7 !

Бонусная программа

Итого: 350 ₽

Купить

Основные
вес, г	0.36
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	2000
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Toshiba
упаковка / блок	DPAK-3
серия	TK3P80E
время нарастания	25 ns
время спада	22 ns
коммерческое обозначение	MOSVIII
pd - рассеивание мощности	80 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	3 A
qg - заряд затвора	12 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	4.9 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток	800 V
vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.5 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	70 ns
типичное время задержки при включении	50 ns

Отзывов нет

Кнопки