Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-Ch DTMOSV 650V 80W 590pF 9.7A

Подробное описание

Основные
вес, г	0.36
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C

520 ₽

– +

Бонус: 10.4 !

Бонусная программа

Итого: 520 ₽

Купить

Основные
вес, г	0.36
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	2000
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Toshiba
упаковка	Reel, Cut Tape
упаковка / блок	DPAK-3
серия	TK380P65Y
время нарастания	23 ns
время спада	8.2 ns
коммерческое обозначение	DTMOSV
pd - рассеивание мощности	80 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	9.7 A
qg - заряд затвора	20 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	380 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	650 V
vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	150 ns
типичное время задержки при включении	60 ns

Отзывов нет

Кнопки