TK35N65W5,S1F(S, N-Channel MOSFET, 35 A, 650 V, 3-Pin TO-247 TK35N65W5,S1F(S
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:TK35N65W5,S1F(S
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Основные
mounting type
Through Hole
package type
TO-247
width
5.02mm
pin count
3
maximum operating temperature
+150 C
series
DTMOSIV
Вес и габариты
number of elements per chip
1
channel type
N
maximum drain source voltage
650 V
maximum gate source voltage
-30 V, +30 V
maximum continuous drain current
35 A
transistor material
Si
maximum gate threshold voltage
4.5V
maximum drain source resistance
95 mΩ
channel mode
Enhancement
minimum gate threshold voltage
3V
maximum power dissipation
270 W
typical gate charge @ vgs
115 nC 10 V
forward diode voltage
1.7V
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26