TK31Z60X,S1F, MOSFET TO-247-4L PD=230W 1MHz PWR MOSFET TRNS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: TK31Z60X,S1F
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFETМОП-транзисторы DTMOSIV-H Полевые МОП-транзисторы Toshiba DTMOSIV-H подходят для приложений, требующих высокой надежности, энергоэффективности и компактного дизайна, таких как высокоэффективные импульсные источники питания для серверов и базовых телекоммуникационных станций, а также в качестве кондиционеров для фотоэлектрических инверторов. МОП-транзисторы DTMOSIV-H обеспечивают высокую скорость переключения при сохранении низкого уровня...
Основные
вес, г6
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
packageTube
eccnEAR99
3 390
+
Бонус: 67.8 !
Бонусная программа
Итого: 3 390
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFETМОП-транзисторы DTMOSIV-H Полевые МОП-транзисторы Toshiba DTMOSIV-H подходят для приложений, требующих высокой надежности, энергоэффективности и компактного дизайна, таких как высокоэффективные импульсные источники питания для серверов и базовых телекоммуникационных станций, а также в качестве кондиционеров для фотоэлектрических инверторов. МОП-транзисторы DTMOSIV-H обеспечивают высокую скорость переключения при сохранении низкого уровня сопротивления в открытом состоянии, характерного для обычных DTMOSIV, и без потери мощности. Это достигается за счет уменьшения паразитной емкости между затвором и стоком, что также способствует повышению энергоэффективности и уменьшению размеров изделий.
Основные
вес, г6
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
packageTube
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
series*
base product numberTLP781 ->
factory pack quantity: factory pack quantity:25
manufacturer:Toshiba
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:Through Hole
product category:MOSFET
product type:MOSFET
subcategory:MOSFETs
packaging:Tube
Вес и габариты
package/case:TO-247-4
tradename:DTMOSIV-H
pd - power dissipation:230 W
number of channels:1 Channel
technology:Si
configuration:Single
channel mode:Enhancement
id - continuous drain current:30.8 A
qg - gate charge:65 nC
rds on - drain-source resistance:88 mOhms
transistor polarity:N-Channel
transistor type:1 N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage:600 V
vgs - gate-source voltage:-30 V, +30 V
vgs th - gate-source threshold voltage:3.5 V
typical turn-off delay time:130 ns
typical turn-on delay time:50 ns
fall time:6 ns
rise time:20 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль