TK2R9E10PL,S1X

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Power МОП-транзистор ID=240A VDSS=100V
Основные
вес, г2
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 175 C
870
+
Бонус: 17.4 !
Бонусная программа
Итого: 870
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Power МОП-транзистор ID=240A VDSS=100V
Основные
вес, г2
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки50
тип продуктаMOSFET
торговая маркаToshiba
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
серияTK2R9E10PL
время нарастания22 ns
время спада46 ns
коммерческое обозначениеU-MOSIX-H
pd - рассеивание мощности306 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки240 A
qg - заряд затвора161 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток2.4 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.5 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль