TK2K2A60F,S4X, MOSFET TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFETМОП-транзисторы π-MOS IX Planar Power Toshiba -MOS IX Planar Power MOSFET обеспечивают высокую эффективность и низкий уровень шума в компактном корпусе TO-220SIS. МОП-транзисторы серии MOS IX обеспечивают оптимальную производительность благодаря регулировке конструкции с двойным рассеянием. Благодаря оптимизированной конструкции чипа серия -MOS IX обеспечивает на 5 дБ более низкий пиковый уровень электромагнитных помех, чем предыдущая серия -MOS VII, сохраняя при этом тот же уровень эффективности. Эти N-канальные силовые полевые МОП-транзисторы обеспечивают большую гибкость конструкции, сокращая рабочие нагрузки при проектировании. Кроме того, серия -MOS IX имеет одинаковый номинальный ток лавины и номинальный ток стока (DC), что упрощает замену существующих полевых МОП-транзисторов.