TK290A65Y,S4X

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-Ch DTMOSV 650V 35W 730pF 11.5A
Основные
вес, г2
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
590
+
Бонус: 11.8 !
Бонусная программа
Итого: 590
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-Ch DTMOSV 650V 35W 730pF 11.5A
Основные
вес, г2
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки50
тип продуктаMOSFET
торговая маркаToshiba
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220SIS-3
серияTK290A65Y
время нарастания25 ns
время спада8.5 ns
коммерческое обозначениеDTMOSV
pd - рассеивание мощности35 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки11.5 A
qg - заряд затвора25 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток230 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения170 ns
типичное время задержки при включении65 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль