Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор МОП-транзистор NCh12.2ohm 10V 10uA VDS100V

Подробное описание

Основные
вес, г	6
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C

430 ₽

– +

Бонус: 8.6 !

Бонусная программа

Итого: 430 ₽

Купить

Основные
вес, г	6
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	50
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Toshiba
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-220-3
серия	TK22A10N1
длина	10 mm
коммерческое обозначение	U-MOSVIII-H
pd - рассеивание мощности	30 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	22 A
qg - заряд затвора	28 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	11.5 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
Высота	15 мм
Ширина	4.5 мм

Отзывов нет

Кнопки