TK17N65W,S1F

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Power МОП-транзистор N-Channel
Основные
вес, г38
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
1 160
+
Бонус: 23.2 !
Бонусная программа
Итого: 1 160
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Power МОП-транзистор N-Channel
Основные
вес, г38
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки30
тип продуктаMOSFET
торговая маркаToshiba
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
серияTK17N65W
длина15.94 mm
время нарастания15 ns
время спада6 ns
коммерческое обозначениеDTMOSIV
pd - рассеивание мощности165 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки17.3 A
qg - заряд затвора45 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток170 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.5 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
типичное время задержки выключения100 ns
типичное время задержки при включении50 ns
Высота 20.95 мм
Ширина5.02 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль