TK14N65W,S1F

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор МОП-транзистор NChannel 0.22ohm DTMOS
Основные
вес, г38
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
1 020
+
Бонус: 20.4 !
Бонусная программа
Итого: 1 020
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор МОП-транзистор NChannel 0.22ohm DTMOS
Основные
вес, г38
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки30
тип продуктаMOSFET
торговая маркаToshiba
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
серияTK14N65W
длина15.94 mm
коммерческое обозначениеDTMOSIV
pd - рассеивание мощности130 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки13.7 A
qg - заряд затвора35 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток220 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3.5 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
Высота 20.95 мм
Ширина5.02 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль