Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор PWR MOS PD=35W F=1MHZ

Подробное описание

Основные
вес, г	1.7
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C

890 ₽

– +

Бонус: 17.8 !

Бонусная программа

Итого: 890 ₽

Купить

Основные
вес, г	1.7
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	50
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Toshiba
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-220-3
серия	TK12A50W
время нарастания	23 ns
время спада	5.5 ns
коммерческое обозначение	DTMOSIV
pd - рассеивание мощности	35 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	11.5 A
qg - заряд затвора	25 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	300 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	500 V
vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.7 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	85 ns
типичное время задержки при включении	45 ns

Отзывов нет

Кнопки