Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-Ch 9.7A 80W FET 600V 700pF 20nC

Подробное описание

Основные
вес, г	4
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C

910 ₽

– +

Бонус: 18.2 !

Бонусная программа

Итого: 910 ₽

Купить

Основные
вес, г	4
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	2000
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Toshiba
упаковка / блок	TO-252-3
серия	TK10P60W
длина	6.5 mm
время нарастания	22 ns
время спада	5.5 ns
pd - рассеивание мощности	80 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	9.7 A
qg - заряд затвора	20 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	380 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
vgs - напряжение затвор-исток	30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3.7 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	75 ns
типичное время задержки при включении	45 ns
Высота	2.3 мм
Ширина	5.5 мм

Отзывов нет

Кнопки