TK10E60W,S1VX(S, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 600 В, 9.7 А, 0.327 Ом, TO-220, Through Hole

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: TK10E60W,S1VX(S
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Основные
вес, г2
максимальная рабочая температура150 C
количество выводов3вывод(-ов)
Вес и габариты
350
+
Бонус: 7 !
Бонусная программа
Итого: 350
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Основные
вес, г2
максимальная рабочая температура150 C
количество выводов3вывод(-ов)
Вес и габариты
channel typeN Channel
рассеиваемая мощность100Вт
power dissipation100Вт
напряжение истока-стока vds600В
полярность транзистораN Канал
стиль корпуса транзистораTO-220
непрерывный ток стока9.7А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.327Ом
напряжение измерения rds(on)10В
пороговое напряжение vgs3.7В
монтаж транзистораThrough Hole
drain source on state resistance0.327Ом
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль