Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-Ch MOS 10A 500V 45W 1050pF 0.72

Подробное описание

Основные
вес, г	2.27
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C

570 ₽

– +

Бонус: 11.4 !

Бонусная программа

Итого: 570 ₽

Купить

Основные
вес, г	2.27
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
продукт	MOSFET
размер фабричной упаковки	50
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Toshiba
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-220-3
серия	TK10A50D
длина	10 mm
время нарастания	25 ns
время спада	10 ns
коммерческое обозначение	MOSVII
pd - рассеивание мощности	45 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	10 A
qg - заряд затвора	20 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	620 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	500 V
vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	75 ns
типичное время задержки при включении	60 ns
Высота	15 мм
Тип	N-Channel Silicon MOSFET
Ширина	4.5 мм

Отзывов нет

Кнопки