Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор МОП-транзистор NCh 3.1ohm VGS10V10uAVDS100V

Подробное описание

Основные
вес, г	6
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C

1 200 ₽

– +

Бонус: 24 !

Бонусная программа

Итого: 1 200 ₽

Купить

Основные
вес, г	6
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	50
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Toshiba
упаковка / блок	TO-220FP-3
серия	TK100A10N1
длина	10 mm
коммерческое обозначение	DTMOSIV
pd - рассеивание мощности	45 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	100 A
qg - заряд затвора	140 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	3.1 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
vgs - напряжение затвор-исток	20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
Высота	15 мм
Ширина	4.5 мм

Отзывов нет

Кнопки