A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Дата загрузки
18.02.2024
Вес и габариты
вес, г
4.51
Высота
20.15 м
Информация о производителе
Производитель
STMicroelectronics
Бренд
STMicroelectronics
Основные
collector- base voltage vcbo
100 V
collector-emitter breakdown voltage
100V
collector-emitter saturation voltage
1 V
collector- emitter voltage vceo max
60 V
configuration
Single
continuous collector current
15 A
dc collector/base gain hfe min
20
dc current gain hfe max
70
factory pack quantity
600
gain bandwidth product ft
3 MHz
height
20.15 mm(Max)
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
length
15.75 mm(Max)
manufacturer
STMicroelectronics
maximum collector base voltage
100 V
maximum collector emitter voltage
60 V
maximum dc collector current
15A
maximum operating frequency
3 MHz
maximum operating temperature
+150 C
maximum power dissipation
90 W
minimum dc current gain
20
minimum operating temperature
-65 C
mounting style
Through Hole
mounting type
Through Hole
number of elements per chip
1
package / case
TO-247-3
package type
TO-247
packaging
Tube
партномер
8008498582
pd - power dissipation
90W
pin count
3
product category
Bipolar Transistors-BJT
rohs
Details
series
500V Transistors
transistor configuration
Single
transistor polarity
NPN
transistor type
NPN
unit weight
0.229281 oz
Время загрузки
13:55:49
width
5.15 mm(Max)
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26