SUP90P06-09L-E3, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -60В, -67А, 250Вт, TO220AB
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: SUP90P06-09L-E3
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
МОП-транзистор 60V 90A 250W 9.3mohm @ 10V
| Основные | |
| вес, г | 2.02 |
| package / case | TO-220-3 |
| вид монтажа | Through Hole |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| максимальная рабочая температура | + 175 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| подкатегория | MOSFETs |
| размер фабричной упаковки | 50 |
| тип продукта | MOSFET |
| торговая марка | Vishay Semiconductors |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-220-3 |
| серия | SUP |
| время нарастания | 190 ns |
| время спада | 300 ns |
| коммерческое обозначение | TrenchFET |
| minimum operating temperature | - 55 C |
| factory pack quantity | 50 |
| manufacturer | Vishay |
| maximum operating temperature | + 175 C |
| mounting style | Through Hole |
| packaging | Tube |
| product category | MOSFET |
| product type | MOSFET |
| series | SUP |
| subcategory | MOSFETs |
| unit weight | 0.211644 oz |
| pd - рассеивание мощности | 250 W |
| количество каналов | 1 Channel |
| configuration | Single |
| fall time | 300 ns |
| rise time | 190 ns |
| number of channels | 1 Channel |
| Вес и габариты | |
| tradename | TrenchFET |
| технология | Si |
| конфигурация | Single |
| technology | Si |
| pd - power dissipation | 250 W |
| id - непрерывный ток утечки | 90 A |
| qg - заряд затвора | 240 nC |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 7.4 mOhms |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| канальный режим | Enhancement |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 20 S |
| полярность транзистора | P-Channel |
| тип транзистора | 1 P-Channel |
| типичное время задержки выключения | 140 ns |
| типичное время задержки при включении | 20 ns |
| channel mode | Enhancement |
| rds on - drain-source resistance | 7.4 mOhms |
| transistor polarity | P-Channel |
| vds - drain-source breakdown voltage | 60 V |
| vgs - gate-source voltage | 20 V |
| id - continuous drain current | 90 A |
| typical turn-on delay time | 20 ns |
| typical turn-off delay time | 140 ns |
| forward transconductance - min | 20 S |
| qg - gate charge | 240 nC |
| transistor type | 1 P-Channel |
| vgs th - gate-source threshold voltage | 3 V |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
