SUM110P04-05-E3, Силовой МОП-транзистор, P Канал, 40 В, 110 А, 0.0041 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mo
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:SUM110P04-05-E3
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Основные
вес, г
2.16
package / case
TO-263-3
minimum operating temperature
-55 C
factory pack quantity
800
manufacturer
Vishay
maximum operating temperature
+175 C
mounting style
SMD/SMT
packaging
Cut Tape or Reel
product category
MOSFET
product type
MOSFET
series
SUM
subcategory
MOSFETs
configuration
Single
fall time
35 ns
rise time
290 ns
number of channels
1 Channel
Вес и габариты
tradename
TrenchFET
technology
Si
pd - power dissipation
375 W
channel mode
Enhancement
rds on - drain-source resistance
5 mOhms
transistor polarity
P-Channel
vds - drain-source breakdown voltage
40 V
vgs - gate-source voltage
10 V
id - continuous drain current
110 A
typical turn-on delay time
25 ns
typical turn-off delay time
110 ns
forward transconductance - min
75 S
qg - gate charge
185 nC
transistor type
1 P-Channel
vgs th - gate-source threshold voltage
2 V
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26