Name: SUD50N06-09L-E3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 60 В, 50 А, 0.0074 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mo
SKU: SUD50N06-09L-E3

SUD50N06-09L-E3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 60 В, 50 А, 0.0074 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mo

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыThe SUD50N06-09L-E3 is a 60VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode. • -55 to 175°C Operating temperature range

Подробное описание

Основные
вес, г	0.3
максимальная рабочая температура	175 C
pin count	3
product category	Power MOSFET

Все характеристики

830 ₽

– +

Бонус: 16.6 !

Бонусная программа

Итого: 830 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Основные
вес, г	0.3
максимальная рабочая температура	175 C
pin count	3
product category	Power MOSFET
количество выводов	3вывод(-ов)
automotive	No
eu rohs	Compliant with Exemption
maximum operating temperature (°c)	175
mounting	Surface Mount
part status	Active
pcb changed	2
ppap	No
standard package name	TO-252
supplier package	DPAK
eccn (us)	EAR99
maximum power dissipation (mw)	8300
minimum operating temperature (°c)	-55
configuration	Single
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 1-Безлимитный
process technology	TMOS
Вес и габариты
number of elements per chip	1
channel type	N Channel
tab	Tab
рассеиваемая мощность	136Вт
power dissipation	136Вт
напряжение истока-стока vds	60В
полярность транзистора	N Канал
стиль корпуса транзистора	TO-252(DPAK)
непрерывный ток стока	50А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.0074Ом
напряжение измерения rds(on)	10В
пороговое напряжение vgs	2В
channel mode	Enhancement
maximum continuous drain current (a)	50
maximum drain source resistance (mohm)	9.3 10V
maximum drain source voltage (v)	60
maximum gate source leakage current (na)	100
maximum gate source voltage (v)	±20
maximum gate threshold voltage (v)	3
maximum idss (ua)	1
typical fall time (ns)	20
typical gate charge @ 10v (nc)	47
typical gate charge @ vgs (nc)	47 10V
typical input capacitance @ vds (pf)	2650 25V
typical rise time (ns)	15
typical turn-off delay time (ns)	35
typical turn-on delay time (ns)	10
монтаж транзистора	Surface Mount
drain source on state resistance	0.0074Ом

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки