Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE

Подробное описание

Основные
вес, г	6.1
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C

3 600 ₽

– +

Бонус: 72 !

Бонусная программа

Итого: 3 600 ₽

Купить

Основные
вес, г	6.1
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	600
тип продукта	MOSFET
торговая марка	STMicroelectronics
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-247-3
серия	STWA63N65DM2
pd - рассеивание мощности	446 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	60 A
qg - заряд затвора	120 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	50 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	650 V
vgs - напряжение затвор-исток	25 V, + 25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel

Отзывов нет

Кнопки

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

STWA63N65DM2