STWA48N60M6

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзисторы MDmesh™ M6 МОП-транзисторы STMicroelectronics MDmesh™ M6 сочетают в себе низкий заряд затвора (Q g ) с оптимизированным профилем емкости, что обеспечивает высокую эффективность новых топологий в системах преобразования мощности. Высокоэффективные МОП-транзисторы MDmesh серии M6 характеризуются чрезвычайно высокой эффективностью, обеспечивающей повышение плотности мощности и низкий заряд затвора при работе на высоких частотах. Напряжение пробоя МОП-транзисторов серии M6 находится в пределах от 600 до 700 В. Устройства выпускаются в самых различных корпусах, включая корпуса для поверхностного монтажа типа TO-Leadless (TO-LL), обеспечивающие эффективное управление тепловым режимом. Эти устройства поддерживают широкий диапазон рабочих напряжений, благодаря чему они пригодны для применения в составе промышленных систем, включая зарядные устройства, адаптеры, клавишные модули, светодиодные системы освещени