STW70N60M2, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 68 А, 0.03 Ом, TO-247, Through Hole
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:STW70N60M2
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Основные
вес, г
2.27
package / case
TO-247-3
minimum operating temperature
-55 C
factory pack quantity
600
manufacturer
STMicroelectronics
maximum operating temperature
+150 C
mounting style
Through Hole
packaging
Tube
product category
MOSFET
product type
MOSFET
series
STW70N60M2
subcategory
MOSFETs
configuration
Single
fall time
9 ns
rise time
17 ns
number of channels
1 Channel
Вес и габариты
tradename
MDmesh
technology
Si
pd - power dissipation
450 W
rds on - drain-source resistance
30 mOhms
transistor polarity
N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage
600 V
vgs - gate-source voltage
25 V
id - continuous drain current
68 A
typical turn-on delay time
32 ns
typical turn-off delay time
155 ns
qg - gate charge
118 nC
transistor type
1 N-Channel
vgs th - gate-source threshold voltage
3 V
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26