STW45N60DM6, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 30 А, 0.085 Ом, TO-247, Through Hole
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:STW45N60DM6
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Основные
вес, г
4.43
вид монтажа
Through Hole
категория продукта
МОП-транзистор
максимальная рабочая температура
+ 150 C
минимальная рабочая температура
55 C
подкатегория
MOSFETs
размер фабричной упаковки
600
тип продукта
MOSFET
торговая марка
STMicroelectronics
упаковка
Tube
упаковка / блок
TO-247-3
серия
STW45N60DM6
время нарастания
5.3 ns
время спада
7.3 ns
коммерческое обозначение
MDmesh
pd - рассеивание мощности
210 W
количество каналов
1 Channel
Вес и габариты
технология
Si
конфигурация
Single
id - непрерывный ток утечки
30 A
qg - заряд затвора
44 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток
99 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток
600 V
vgs - напряжение затвор-исток
25 V, + 25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3.25 V
канальный режим
Enhancement
полярность транзистора
N-Channel
тип транзистора
1 N-Channel
типичное время задержки выключения
50 ns
типичное время задержки при включении
15 ns
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26