STU5N65M6, MOSFET N-channel 650 V, 1.15 Ohm typ 4 A MDmesh M6 Power MOSFET in an IPAK package

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: STU5N65M6
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFETСтандартные продуктыСтандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели...
Основные
вес, г0.34
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
manufacturer:STMicroelectronics
maximum operating temperature:+150 C
490
+
Бонус: 9.8 !
Бонусная программа
Итого: 490
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFETСтандартные продуктыСтандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Основные
вес, г0.34
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
manufacturer:STMicroelectronics
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:Through Hole
product category:MOSFET
product type:MOSFET
series:Mdmesh M6
subcategory:MOSFETs
Вес и габариты
package/case:TO-251-3
tradename:MDmesh
pd - power dissipation:45 W
number of channels:1 Channel
technology:Si
configuration:Single
channel mode:Enhancement
id - continuous drain current:4 A
qg - gate charge:5.1 nC
rds on - drain-source resistance:1.3 Ohms
transistor polarity:N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage:650 V
vgs - gate-source voltage:-25 V, +25 V
vgs th - gate-source threshold voltage:2.25 V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль