STR2N2VH5, Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; полевой; 20В; 1,4А; Idm: 9,2А

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: STR2N2VH5
Основные
вес, г0.1
максимальная рабочая температура150 C
линейка продукцииSTripFET H5
количество выводов3вывод(-ов)
91
+
Бонус: 1.82 !
Бонусная программа
Итого: 91
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Основные
вес, г0.1
максимальная рабочая температура150 C
линейка продукцииSTripFET H5
количество выводов3вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
channel typeN Channel
рассеиваемая мощность350мВт
power dissipation350мВт
напряжение истока-стока vds20В
полярность транзистораN Канал
стиль корпуса транзистораSOT-23
непрерывный ток стока2.3А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.025Ом
напряжение измерения rds(on)4.5В
пороговое напряжение vgs700мВ
монтаж транзистораSurface Mount
drain source on state resistance0.025Ом
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль