| Основные | |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Through Hole |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tube |
| package / case | TO-220-3 Full Pack |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| вид монтажа | Through Hole |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| подкатегория | MOSFETs |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| тип продукта | MOSFET |
| торговая марка | STMicroelectronics |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-220-3 |
| eccn | EAR99 |
| htsus | 8541.29.0095 |
| серия | STP9NK50ZFP |
| reach status | REACH Unaffected |
| supplier device package | TO-220FP |
| длина | 10.4 mm |
| время нарастания | 20 ns |
| время спада | 22 ns |
| коммерческое обозначение | SuperMESH |
| pin count | 3 |
| packaging | Tube |
| product category | Power MOSFET |
| series | SuperMESHв„ў -> |
| pd - рассеивание мощности | 30 W |
| количество каналов | 1 Channel |
| automotive | No |
| eu rohs | Compliant with Exemption |
| lead shape | Through Hole |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| mounting | Through Hole |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| standard package name | TO-220 |
| supplier package | TO-220FP |
| средства разработки | STEVAL-ISC002V1 |
| base product number | STP9NK50 -> |
| eccn (us) | EAR99 |
| maximum power dissipation (mw) | 30000 |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| configuration | Single |
| hts | 8541.29.00.95 |
| package height | 16.4(Max) |
| package length | 10.4(Max) |
| package width | 4.6(Max) |
| process technology | SuperMESH |
| Вес и габариты | |
| технология | Si |
| number of elements per chip | 1 |
| конфигурация | Single |
| channel type | N |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| tab | Tab |
| id - непрерывный ток утечки | 7.2 A |
| qg - заряд затвора | 32 nC |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 850 mOhms |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| канальный режим | Enhancement |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 5.3 S |
| полярность транзистора | N-Channel |
| тип транзистора | 1 N-Channel MOSFET |
| типичное время задержки выключения | 45 ns |
| типичное время задержки при включении | 17 ns |
| channel mode | Enhancement |
| maximum continuous drain current (a) | 7.2 |
| maximum drain source resistance (mohm) | 850@10V |
| maximum drain source voltage (v) | 500 |
| maximum gate source voltage (v) | ±30 |
| typical fall time (ns) | 22 |
| typical gate charge @ 10v (nc) | 32 |
| typical gate charge @ vgs (nc) | 32@10V |
| typical input capacitance @ vds (pf) | 910@25V |
| typical rise time (ns) | 20 |
| typical turn-off delay time (ns) | 45 |
| typical turn-on delay time (ns) | 17 |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 7.2A (Tc) |
| drain to source voltage (vdss) | 500V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 10V |
| fet type | N-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 32nC @ 10V |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 910pF @ 25V |
| power dissipation (max) | 30W (Tc) |
| rds on (max) @ id, vgs | 850mOhm @ 3.6A, 10V |
| vgs (max) | В±30V |
| vgs(th) (max) @ id | 4.5V @ 100ВµA |
| military | No |
| Высота | 9.3 мм |
| Ширина | 4.6 мм |
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
