STP7NK40Z транзистор: N-MOSFET 400V 6A 1 Om

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: STP7NK40Z
транзистор: N-MOSFET 400V 6A <1 Om корпус: TO220 аналоги: 2SK2679 2SK2841 2SK2952 2SK3095LS 2SK3096 2SK3097LS 2SK3098 2SK3099LS BUZ60 BUZ76 FQP11N40C FQP5N40 FQP6N40 FQP6N45 FQP7N40 FQPF5N40 FQPF6N40 FQPF7N40 HIRF730 IRF720 IRF730 IRF740 IRFI720G IRFI730G IRFI740G IRFS720B IRFS730B KHB011N40P1
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
11
+
Бонус: 0.22 !
Бонусная программа
Итого: 11
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
транзистор: N-MOSFET 400V 6A <1 Om корпус: TO220 аналоги: 2SK2679 2SK2841 2SK2952 2SK3095LS 2SK3096 2SK3097LS 2SK3098 2SK3099LS BUZ60 BUZ76 FQP11N40C FQP5N40 FQP6N40 FQP6N45 FQP7N40 FQPF5N40 FQPF6N40 FQPF7N40 HIRF730 IRF720 IRF730 IRF740 IRFI720G IRFI730G IRFI740G IRFS720B IRFS730B KHB011N40P1
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки1000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковка / блокTO-220-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияSTP7NK40Z
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-220AB
длина10.4 mm
время нарастания15 ns
время спада12 ns
коммерческое обозначениеSuperMESH
pin count3
packagingTube
product categoryPower MOSFET
seriesSuperMESHв„ў ->
pd - рассеивание мощности70 W
количество каналов1 Channel
automotiveNo
eu rohsCompliant with Exemption
lead shapeThrough Hole
maximum operating temperature (°c)150
mountingThrough Hole
part statusActive
pcb changed3
ppapNo
standard package nameTO-220
supplier packageTO-220AB
base product numberSTP7NK40 ->
eccn (us)EAR99
maximum power dissipation (mw)70000
minimum operating temperature (°c)-55
configurationSingle
process technologySuperMESH
Вес и габариты
технологияSi
number of elements per chip1
конфигурацияSingle
channel typeN
technologyMOSFET (Metal Oxide)
other related documentshttp://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
tabTab
id - непрерывный ток утечки5.4 A
rds вкл - сопротивление сток-исток1 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток400 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.3.5 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения30 ns
типичное время задержки при включении15 ns
channel modeEnhancement
maximum continuous drain current (a)5.4
maximum drain source resistance (mohm)1000 10V
maximum drain source voltage (v)400
maximum gate source voltage (v)±30
typical fall time (ns)12
typical gate charge @ 10v (nc)19
typical gate charge @ vgs (nc)19 10V
typical input capacitance @ vds (pf)535 25V
typical rise time (ns)15
typical turn-off delay time (ns)30
typical turn-on delay time (ns)15
current - continuous drain (id) @ 25в°c5.4A (Tc)
drain to source voltage (vdss)400V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs26nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds535pF @ 25V
power dissipation (max)70W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs1Ohm @ 2.7A, 10V
vgs (max)В±30V
vgs(th) (max) @ id4.5V @ 50ВµA
Высота 9.15 мм
ТипMOSFET
Ширина4.6 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль