N-Channel STripFET ™ II, STMicroelectronics МОП-транзисторы STripFET ™ с широким диапазоном напряжения пробоя обеспечивают сверхнизкий заряд затвора и низкое сопротивление в открытом состоянии.
Информация о производителе
Производитель
STMicroelectronics
Основные
максимальная рабочая температура
+175 °C
минимальная рабочая температура
-55 °C
серия
STripFET II
длина
10.4мм
тип корпуса
TO-220
тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
число контактов
3
размеры
10.4 x 4.6 x 9.15мм
Вес и габариты
количество элементов на ис
1
максимальное рассеяние мощности
95 Вт
тип канала
N
transistor configuration
Одинарный
типичное время задержки выключения
40 нс
максимальное сопротивление сток-исток
18 mΩ
максимальное напряжение затвор-исток
-16 V, +16 V
максимальное напряжение сток-исток
60 В
типичный заряд затвора при vgs
27 нКл при 4,5 В
номер канала
Поднятие
максимальный непрерывный ток стока
55 А
материал транзистора
Кремний
типичное время задержки включения
20 ns
minimum gate threshold voltage
1V
категория
Мощный МОП-транзистор
типичная входная емкость при vds
1700 пФ при 25 В
Высота
9.15 мм
Ширина
4.6 мм
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26