STP55NF06L, Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: STP55NF06L
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET N-Channel STripFET ™ II, STMicroelectronics МОП-транзисторы STripFET ™ с широким диапазоном напряжения пробоя обеспечивают сверхнизкий заряд затвора и низкое сопротивление в открытом состоянии.
STMicroelectronics
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
Основные
максимальная рабочая температура+175 °C
минимальная рабочая температура-55 °C
серияSTripFET II
86
+
Бонус: 1.72 !
Бонусная программа
Итого: 86
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET N-Channel STripFET ™ II, STMicroelectronics МОП-транзисторы STripFET ™ с широким диапазоном напряжения пробоя обеспечивают сверхнизкий заряд затвора и низкое сопротивление в открытом состоянии.
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
Основные
максимальная рабочая температура+175 °C
минимальная рабочая температура-55 °C
серияSTripFET II
длина10.4мм
тип корпусаTO-220
тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
число контактов3
размеры10.4 x 4.6 x 9.15мм
Вес и габариты
количество элементов на ис1
максимальное рассеяние мощности95 Вт
тип каналаN
transistor configurationОдинарный
типичное время задержки выключения40 нс
максимальное сопротивление сток-исток18 mΩ
максимальное напряжение затвор-исток-16 V, +16 V
максимальное напряжение сток-исток60 В
типичный заряд затвора при vgs27 нКл при 4,5 В
номер каналаПоднятие
максимальный непрерывный ток стока55 А
материал транзистораКремний
типичное время задержки включения20 ns
minimum gate threshold voltage1V
категорияМощный МОП-транзистор
типичная входная емкость при vds1700 пФ при 25 В
Высота 9.15 мм
Ширина4.6 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль