МОП-транзистор Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power МОП-транзистор in a TO-220 package
Основные
вид монтажа
Through Hole
категория продукта
МОП-транзистор
максимальная рабочая температура
+ 150 C
минимальная рабочая температура
55 C
подкатегория
MOSFETs
продукт
Power MOSFET
размер фабричной упаковки
1000
тип продукта
MOSFET
торговая марка
STMicroelectronics
упаковка / блок
TO-220-3
серия
STP45N40DM2AG
длина
15.75 mm
время нарастания
6.7 ns
время спада
9.8 ns
коммерческое обозначение
MDmesh
pd - рассеивание мощности
250 W
количество каналов
1 Channel
Вес и габариты
технология
Si
конфигурация
Single
квалификация
AEC-Q101
id - непрерывный ток утечки
38 A
qg - заряд затвора
56 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток
72 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток
400 V
vgs - напряжение затвор-исток
10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V
канальный режим
Enhancement
полярность транзистора
N-Channel
тип транзистора
1 N-Channel Power MOSFET
типичное время задержки выключения
68 ns
типичное время задержки при включении
20 ns
Высота
4.6 мм
Тип
High Voltage
Ширина
10.4 мм
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26