STP19NM50N, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 14 А, 0.2 Ом, TO-220, Through Hole

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: STP19NM50N
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыМОП-транзистор N-Ch 500V 14A Mosfet Mdmesh II Power
Основные
вес, г2.66
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
1 000
+
Бонус: 20 !
Бонусная программа
Итого: 1 000
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыМОП-транзистор N-Ch 500V 14A Mosfet Mdmesh II Power
Основные
вес, г2.66
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки1000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
серияSTP19NM50N
время нарастания16 ns
время спада17 ns
коммерческое обозначениеMDmesh
pd - рассеивание мощности110 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки14 A
qg - заряд затвора34 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток250 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток500 V
vgs - напряжение затвор-исток25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения17 ns
типичное время задержки при включении12 ns
ТипPower MOSFET
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль