STP13NK60ZFP

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-Ch, 600V-0.48ohms Zener SuperMESH 13A
Основные
вес, г0.33
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
1 500
+
Бонус: 30 !
Бонусная программа
Итого: 1 500
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-Ch, 600V-0.48ohms Zener SuperMESH 13A
Основные
вес, г0.33
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3 Full Pack
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки1000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220FP-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияSTP13NK60ZFP
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageTO-220FP
длина10.4 mm
время нарастания14 ns
время спада12 ns
коммерческое обозначениеSuperMESH
seriesSuperMESHв„ў ->
pd - рассеивание мощности35 W
количество каналов1 Channel
base product numberSTP13 ->
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
technologyMOSFET (Metal Oxide)
other related documentshttp://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
id - непрерывный ток утечки13 A
qg - заряд затвора66 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток550 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3.75 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.11 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения61 ns
типичное время задержки при включении22 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c13A (Tc)
drain to source voltage (vdss)600V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs92nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds2030pF @ 25V
power dissipation (max)35W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs550mOhm @ 4.5A, 10V
vgs (max)В±30V
vgs(th) (max) @ id4.5V @ 100ВµA
Высота 16.4 мм
Ширина4.6 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль