STP13N60M2, MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2

Подробное описание

Основные
вес, г	2
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Through Hole
operating temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Все характеристики

670 ₽

– +

Бонус: 13.4 !

Бонусная программа

Итого: 670 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET Новейшие технологии в силовых MOSFET и IGBT STMicroelectronics предлагает новейшие технологии в Power MOSFET и IGBT. ST предлагает широкий ассортимент полевых МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов, адаптированных к вашему конкретному применению, ориентированных на SMPS, освещение, управление двигателями и различные промышленные приложения. Портфель ST 'включает высоковольтные полевые МОП-транзисторы с суперпереходом и полевые транзисторы IGBT с траншейным затвором для жестких и мягких коммутируемых топологий, а также низковольтные траншейные полевые МОП-транзисторы для преобразования мощности и приводы двигателей BLDC. Последние SiC MOSFET на 1200 В компании ST сочетают в себе самый высокий в отрасли рейтинг температуры перехода 200 ° C с очень низкой площадью RDS (включено) (с минимальным отклонением от температуры) и отличными коммутационными характеристиками для более эффективных и компактных конструкций SMPS. Для управления двигателем IGBT серии M

Основные
вес, г	2
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Through Hole
operating temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
package	Tube
package / case	TO-220-3
rohs status	ROHS3 Compliant
максимальная рабочая температура	150 C
eccn	EAR99
htsus	8541.29.0095
reach status	REACH Unaffected
supplier device package	TO-220
линейка продукции	MDmesh II Plus
series	MDmeshв„ў II Plus ->
количество выводов	3вывод(-ов)
base product number	STP13 ->
factory pack quantity: factory pack quantity:	1000
manufacturer:	STMicroelectronics
maximum operating temperature:	+150 C
minimum operating temperature:	-55 C
mounting style:	Through Hole
product category:	MOSFET
product type:	MOSFET
series:	STP13N60M2
subcategory:	MOSFETs
packaging:	Tube
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
package/case:	TO-220-3
tradename:	MDmesh
channel type	N Channel
pd - power dissipation:	110 W
technology	MOSFET (Metal Oxide)
number of channels:	1 Channel
technology:	Si
рассеиваемая мощность	110Вт
power dissipation	110Вт
configuration:	Single
напряжение истока-стока vds	600В
полярность транзистора	N Канал
стиль корпуса транзистора	TO-220AB
непрерывный ток стока	11А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.35Ом
напряжение измерения rds(on)	10В
пороговое напряжение vgs	3В
current - continuous drain (id) @ 25в°c	11A (Tc)
drain to source voltage (vdss)	600V
drive voltage (max rds on, min rds on)	10V
fet type	N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	17nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	580pF @ 100V
power dissipation (max)	110W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs	380mOhm @ 5.5A, 10V
vgs (max)	В±25V
vgs(th) (max) @ id	4V @ 250ВµA
channel mode:	Enhancement
id - continuous drain current:	11 A
qg - gate charge:	17 nC
rds on - drain-source resistance:	380 mOhms
transistor polarity:	N-Channel
transistor type:	1 N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage:	650 V
vgs - gate-source voltage:	-25 V, +25 V
vgs th - gate-source threshold voltage:	3 V
монтаж транзистора	Through Hole
typical turn-off delay time:	41 ns
typical turn-on delay time:	11 ns
drain source on state resistance	0.35Ом
fall time:	9.5 ns
rise time:	10 ns

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки