Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE

Подробное описание

Основные
вес, г	0.33
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C

580 ₽

– +

Бонус: 11.6 !

Бонусная программа

Итого: 580 ₽

Купить

Основные
вес, г	0.33
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
продукт	Power MOSFETs
размер фабричной упаковки	1000
тип продукта	MOSFET
торговая марка	STMicroelectronics
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-220-3
серия	STP11N65M2
время нарастания	7.5 ns
время спада	15 ns
коммерческое обозначение	MDmesh II Plus
pd - рассеивание мощности	85 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	7 A
qg - заряд затвора	12.5 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	670 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	650 V
vgs - напряжение затвор-исток	25 V, + 25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	26 ns
типичное время задержки при включении	9.5 ns

Отзывов нет

Кнопки