STL3NM60N, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 2.2 А, 1.5 Ом, PowerFLAT, Surface Mount
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: STL3NM60N
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
МОП-транзистор N-Ch 600V 1.5Ohm 2.2A MDMesh II MOS
| Основные | |
| вес, г | 0.01 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| подкатегория | MOSFETs |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| тип продукта | MOSFET |
| торговая марка | STMicroelectronics |
| упаковка / блок | PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8 |
| серия | STL3NM60N |
| время нарастания | 6.2 ns |
| время спада | 20 ns |
| коммерческое обозначение | MDmesh |
| pin count | 8 |
| packaging | Tape and Reel |
| product category | Power MOSFET |
| pd - рассеивание мощности | 2 W |
| количество каналов | 1 Channel |
| automotive | No |
| eu rohs | Compliant |
| lead shape | No Lead |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| mounting | Surface Mount |
| part status | Active |
| pcb changed | 8 |
| ppap | No |
| supplier package | Power Flat |
| eccn (us) | EAR99 |
| maximum power dissipation (mw) | 2000 |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| process technology | MDmesh |
| Вес и габариты | |
| технология | Si |
| number of elements per chip | 1 |
| конфигурация | Single Quad Drain Triple Source |
| channel type | N |
| id - непрерывный ток утечки | 2.2 A |
| qg - заряд затвора | 9.5 nC |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 1.8 Ohms |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| канальный режим | Enhancement |
| полярность транзистора | N-Channel |
| тип транзистора | 1 N-Channel Power MOSFET |
| типичное время задержки выключения | 20.8 ns |
| типичное время задержки при включении | 8.6 ns |
| channel mode | Enhancement |
| maximum continuous drain current (a) | 0.65 |
| maximum drain source resistance (mohm) | 1800 10V |
| maximum drain source voltage (v) | 600 |
| maximum gate source leakage current (na) | 100 |
| maximum gate source voltage (v) | ±25 |
| maximum gate threshold voltage (v) | 4 |
| maximum idss (ua) | 1 |
| typical fall time (ns) | 20 |
| typical gate charge @ 10v (nc) | 9.5 |
| typical gate charge @ vgs (nc) | 9.5 10V |
| typical input capacitance @ vds (pf) | 188 50V |
| typical rise time (ns) | 6.2 |
| typical turn-off delay time (ns) | 20.8 |
| typical turn-on delay time (ns) | 8.6 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
