STL36N55M5, N-Channel MOSFET, 22 A, 600 V, 5-Pin PowerFLAT 8 x 8 HV STL36N55M5
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: STL36N55M5
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
MOSFETsМОП-транзистор N-Ch 550V 0.066Ohm 31A MDmesh M5
| Основные | |
| вес, г | 5 |
| pin count | 5 |
| packaging | Tape and Reel |
| product category | Power MOSFET |
| automotive | No |
| eu rohs | Compliant |
| lead shape | No Lead |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| mounting | Surface Mount |
| part status | Active |
| pcb changed | 5 |
| ppap | No |
| supplier package | Power Flat |
| eccn (us) | EAR99 |
| maximum power dissipation (mw) | 2800 |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| configuration | Single Triple Source |
| вид монтажа: | SMD/SMT |
| категория продукта: | МОП-транзистор |
| максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| минимальная рабочая температура: | - 55 C |
| подкатегория: | MOSFETs |
| производитель: | STMicroelectronics |
| серия: | Mdmesh M5 |
| тип продукта: | MOSFET |
| торговая марка: | STMicroelectronics |
| размер фабричной упаковки: | 3000 |
| упаковка / блок: | PowerFLAT-8x8-5 |
| время нарастания: | 13 ns |
| время спада: | 13 ns |
| process technology | MDmesh |
| Вес и габариты | |
| коммерческое обозначение: | MDmesh |
| чувствительный к влажности: | Yes |
| number of elements per chip | 1 |
| channel type | N |
| pd - рассеивание мощности: | 150 W |
| количество каналов: | 1 Channel |
| технология: | Si |
| material | Si |
| конфигурация: | Single |
| channel mode | Enhancement |
| maximum continuous drain current (a) | 22.5 |
| maximum drain source resistance (mohm) | 90 10V |
| maximum drain source voltage (v) | 550 |
| maximum gate source leakage current (na) | 100 |
| maximum gate source voltage (v) | ±25 |
| maximum gate threshold voltage (v) | 5 |
| maximum idss (ua) | 1 |
| typical fall time (ns) | 32 |
| typical gate charge @ 10v (nc) | 62 |
| typical gate charge @ vgs (nc) | 62 10V |
| typical input capacitance @ vds (pf) | 2670 100V |
| typical rise time (ns) | 13 |
| typical turn-off delay time (ns) | 45 |
| id - непрерывный ток утечки: | 22.5 A |
| qg - заряд затвора: | 62 nC |
| rds вкл - сопротивление сток-исток: | 90 mOhms |
| vds - напряжение пробоя сток-исток: | 550 V |
| vgs - напряжение затвор-исток: | - 25 V, + 25 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 4 V |
| канальный режим: | Enhancement |
| полярность транзистора: | N-Channel |
| тип транзистора: | 1 N-Channel |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![2SC2590, Транзистор [TO-126]](/wa-data/public/shop/products/92/67/186792/images/222640/222640.300x0.jpg "2SC2590, Транзистор [TO-126]")
![FQP85N06, МОП-транзистор, N Канал, 85 А, 60 В, 10 мОм, 10 В, 4 В [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/91/74/27491/images/38079/38079.300x0.jpg "FQP85N06, МОП-транзистор, N Канал, 85 А, 60 В, 10 мОм, 10 В, 4 В [TO-220]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
