STL2N80K5, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 800 В, 1.5 А, 3.7 Ом, PowerFLAT, Surface Mount

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыMDmesh K5 Power MOSFETsSTMicroelectronics MDmesh K5 series are very-high voltage MOSFETs with super-junction, industry's best R DS(on), and figure of merit for increased power density and efficiency. Typical applications include LED lighting, metering, solar inverters, 3-phase auxiliary power supplies, welding, and automotive battery management.

Подробное описание

Основные
вес, г	0.73
максимальная рабочая температура	150 C
линейка продукции	MDmesh K5
количество выводов	8вывод(-ов)

Все характеристики

290 ₽

– +

Бонус: 5.8 !

Бонусная программа

Итого: 290 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Основные
вес, г	0.73
максимальная рабочая температура	150 C
линейка продукции	MDmesh K5
количество выводов	8вывод(-ов)
вид монтажа:	SMD/SMT
категория продукта:	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура:	+150 C
минимальная рабочая температура:	-55 C
подкатегория:	MOSFETs
производитель:	STMicroelectronics
размер фабричной упаковки: размер фабричной упаковки:	3000
серия:	STL2N80K5
тип продукта:	MOSFET
торговая марка:	STMicroelectronics
упаковка:	Reel, Cut Tape, MouseReel
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 1-Безлимитный
упаковка / блок:	PowerFLAT-5x6-8
Вес и габариты
коммерческое обозначение:	MDmesh
channel type	N Channel
pd - рассеивание мощности:	30 W
количество каналов:	1 Channel
технология:	Si
рассеиваемая мощность	33Вт
power dissipation	33Вт
конфигурация:	Single
напряжение истока-стока vds	800В
полярность транзистора	N Канал
стиль корпуса транзистора	PowerFLAT
непрерывный ток стока	1.5А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	3.7Ом
напряжение измерения rds(on)	10В
пороговое напряжение vgs	4В
id - непрерывный ток утечки:	2 A
qg - заряд затвора:	3 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток:	3.7 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток:	800 V
vgs - напряжение затвор-исток:	-30 V, +30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :	4 V
канальный режим:	Enhancement
полярность транзистора:	N-Channel
тип транзистора:	1 N-Channel
монтаж транзистора	Surface Mount
drain source on state resistance	3.7Ом

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки