STI55NF03L

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-Channel 30V 55A (Tc) 80W (Tc) Through Hole I2PAK
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-60В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
370
+
Бонус: 7.4 !
Бонусная программа
Итого: 370
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-Channel 30V 55A (Tc) 80W (Tc) Through Hole I2PAK
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-60В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-262-3 Long Leads, IВІPak, TO-262AA
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура60 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки1000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTube
упаковка / блокTO-262-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияSTI55NF03L
reach statusREACH Unaffected
supplier device packageI2PAK
длина10.4 mm
время нарастания400 ns
время спада50 ns
коммерческое обозначениеSTripFET
seriesSTripFETв„ў II ->
pd - рассеивание мощности80 W
количество каналов1 Channel
base product numberSTI55 ->
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
technologyMOSFET (Metal Oxide)
other related documentshttp://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
id - непрерывный ток утечки55 A
qg - заряд затвора27 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток10 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток16 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.5 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения25 ns
типичное время задержки при включении28 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c55A (Tc)
drain to source voltage (vdss)30V
drive voltage (max rds on, min rds on)4.5V, 10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs27nC @ 4.5V
input capacitance (ciss) (max) @ vds1265pF @ 25V
power dissipation (max)80W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs13mOhm @ 27.5A, 10V
vgs (max)В±16V
vgs(th) (max) @ id2.5V @ 250ВµA
Высота 4.6 мм
Ширина9.35 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль