STI18N65M2
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power МОП-транзистор in TO-220 package
| Основные | |
| вес, г | 1.438 |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Through Hole |
| operating temperature | 150В°C (TJ) |
| package | Tube |
| package / case | TO-262-3 Long Leads, IВІPak, TO-262AA |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| вид монтажа | Through Hole |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| подкатегория | MOSFETs |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| тип продукта | MOSFET |
| торговая марка | STMicroelectronics |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-262-3 |
| eccn | EAR99 |
| htsus | 8541.29.0095 |
| серия | STI18N65M2 |
| reach status | REACH Unaffected |
| supplier device package | I2PAK |
| время нарастания | 7.5 ns |
| время спада | 12.5 ns |
| коммерческое обозначение | MDmesh |
| series | MDmeshв„ў M2 -> |
| pd - рассеивание мощности | 110 W |
| количество каналов | 1 Channel |
| base product number | STI18 -> |
| Вес и габариты | |
| технология | Si |
| конфигурация | Single |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| id - непрерывный ток утечки | 12 A |
| qg - заряд затвора | 20 nC |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 275 mOhms |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| канальный режим | Enhancement |
| полярность транзистора | N-Channel |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| типичное время задержки выключения | 46 ns |
| типичное время задержки при включении | 11 ns |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 12A (Tc) |
| drain to source voltage (vdss) | 650V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 10V |
| fet type | N-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 20nC @ 10V |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 770pF @ 100V |
| power dissipation (max) | 110W (Tc) |
| rds on (max) @ id, vgs | 330mOhm @ 6A, 10V |
| vgs (max) | В±25V |
| vgs(th) (max) @ id | 4V @ 250ВµA |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
