Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 V 10 A Low Drop PowerMESH

Подробное описание

Основные
вес, г	1.91
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 150 C

440 ₽

– +

Бонус: 8.8 !

Бонусная программа

Итого: 440 ₽

Купить

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 V 10 A Low Drop PowerMESH

Основные
вес, г	1.91
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	65 C
подкатегория	IGBTs
размер фабричной упаковки	1000
тип продукта	IGBT Transistors
торговая марка	STMicroelectronics
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-220-3
серия	STGP10NB60SD
длина	10.4 mm
pd - рассеивание мощности	3.5 W
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	600 V
непрерывный ток коллектора ic, макс.	20 A
Высота	9.15 мм
Ширина	4.6 мм

Отзывов нет

Кнопки