STFI10N65K3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 650V 10A (Tc) 35W (Tc) сквозное отверстие I2PAKFP (TO-281)
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
960
+
Бонус: 19.2 !
Бонусная программа
Итого: 960
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 650V 10A (Tc) 35W (Tc) сквозное отверстие I2PAKFP (TO-281)
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-262-3 Full Pack, IВІPak
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
supplier device packageI2PAKFP (TO-281)
seriesSuperMESH3в„ў ->
base product numberSTFI10N ->
Вес и габариты
technologyMOSFET (Metal Oxide)
current - continuous drain (id) @ 25в°c10A (Tc)
drain to source voltage (vdss)650V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs42nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds1180pF @ 25V
power dissipation (max)35W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs1Ohm @ 3.6A, 10V
vgs (max)В±30V
vgs(th) (max) @ id4.5V @ 100ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль