STF6N95K5, Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: STF6N95K5
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFETМОП-транзистор N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5
| Основные | |
| package / case | TO-220-3 |
| вид монтажа | Through Hole |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| подкатегория | MOSFETs |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| тип продукта | MOSFET |
| торговая марка | STMicroelectronics |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-220-3 |
| серия | STF6N95K5 |
| коммерческое обозначение | MDmesh |
| minimum operating temperature | -55 C |
| factory pack quantity | 1000 |
| manufacturer | STMicroelectronics |
| maximum operating temperature | +150 C |
| mounting style | Through Hole |
| packaging | Tube |
| product category | MOSFET |
| product type | MOSFET |
| series | STF6N95K5 |
| subcategory | MOSFETs |
| количество выводов | 3вывод(-ов) |
| pd - рассеивание мощности | 25 W |
| количество каналов | 1 Channel |
| configuration | Single |
| number of channels | 1 Channel |
| Вес и габариты | |
| tradename | MDmesh |
| технология | Si |
| конфигурация | Single |
| channel type | N Channel |
| technology | Si |
| pd - power dissipation | 25 W |
| рассеиваемая мощность | 25Вт |
| power dissipation | 25Вт |
| напряжение истока-стока vds | 950В |
| id - непрерывный ток утечки | 9 A |
| qg - заряд затвора | 13 nC |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 1.25 Ohms |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 950 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| канальный режим | Enhancement |
| полярность транзистора | N-Channel |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| стиль корпуса транзистора | TO-220FP |
| непрерывный ток стока | 9А |
| сопротивление во включенном состоянии rds(on) | 1Ом |
| напряжение измерения rds(on) | 10В |
| пороговое напряжение vgs | 4В |
| rds on - drain-source resistance | 1.25 Ohms |
| transistor polarity | N-Channel |
| vds - drain-source breakdown voltage | 950 V |
| vgs - gate-source voltage | 30 V |
| id - continuous drain current | 9 A |
| qg - gate charge | 13 nC |
| transistor type | 1 N-Channel |
| монтаж транзистора | Through Hole |
| drain source on state resistance | 1Ом |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
