Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFETМОП-транзистор N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3

Подробное описание

Основные
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C

44 ₽

– +

Бонус: 0.88 !

Бонусная программа

Итого: 44 ₽

Купить

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFETМОП-транзистор N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3

Основные
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	1000
тип продукта	MOSFET
торговая марка	STMicroelectronics
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-220-3
серия	STF6N65K3
время нарастания	15 ns
время спада	22 ns
коммерческое обозначение	SuperMESH
pd - рассеивание мощности	30 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	5.4 A
qg - заряд затвора	35 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	1.3 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток	650 V
vgs - напряжение затвор-исток	30 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	54 ns
типичное время задержки при включении	25 ns

Отзывов нет

Кнопки