STF33N60M2, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 26 А, 0.108 Ом, TO-220FP, Through Hole
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:STF33N60M2
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Основные
вес, г
2.3
package / case
TO-220-3
minimum operating temperature
-55 C
factory pack quantity
1000
manufacturer
STMicroelectronics
maximum operating temperature
+150 C
mounting style
Through Hole
packaging
Tube
product category
MOSFET
product type
MOSFET
series
STF33N60M2
subcategory
MOSFETs
configuration
Single
fall time
9 ns
rise time
9.6 ns
number of channels
1 Channel
Вес и габариты
tradename
MDmesh
technology
Si
pd - power dissipation
35 W
rds on - drain-source resistance
108 mOhms
transistor polarity
N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage
600 V
vgs - gate-source voltage
25 V
id - continuous drain current
26 A
typical turn-on delay time
16 ns
typical turn-off delay time
109 ns
qg - gate charge
45.5 nC
transistor type
1 N-Channel
vgs th - gate-source threshold voltage
3 V
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26