STF2LN60K3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-Ch 600V 4ohm 2A SuperMESH3 FET
Основные
вес, г0.33
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
подкатегорияMOSFETs
300
+
Бонус: 6 !
Бонусная программа
Итого: 300
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-Ch 600V 4ohm 2A SuperMESH3 FET
Основные
вес, г0.33
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки1000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
серияSTF2LN60K3
время нарастания8.5 ns
время спада21 ns
коммерческое обозначениеSuperMESH
pd - рассеивание мощности45 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки2 A
qg - заряд затвора12 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток4.5 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4.5 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения23.5 ns
типичное время задержки при включении10 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль