STF28N60DM2

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Основные
вес, г2.3
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
1 210
+
Бонус: 24.2 !
Бонусная программа
Итого: 1 210
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Основные
вес, г2.3
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки1000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
серияSTF28N60DM2
время нарастания7.3 ns
время спада9.3 ns
коммерческое обозначениеMDmesh
pd - рассеивание мощности30 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки21 A
qg - заряд затвора34 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток130 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
vgs - напряжение затвор-исток25 V, + 25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения53 ns
типичное время задержки при включении16 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль