Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Подробное описание

Основные
вес, г	2.3
максимальная рабочая температура	150 C
линейка продукции	MDmesh DM2
количество выводов	3вывод(-ов)

540 ₽

– +

Бонус: 10.8 !

Бонусная программа

Итого: 540 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Основные
вес, г	2.3
максимальная рабочая температура	150 C
линейка продукции	MDmesh DM2
количество выводов	3вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
channel type	N Channel
рассеиваемая мощность	30Вт
power dissipation	30Вт
напряжение истока-стока vds	600В
полярность транзистора	N Канал
стиль корпуса транзистора	TO-220FP
непрерывный ток стока	18А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.175Ом
напряжение измерения rds(on)	10В
пороговое напряжение vgs	4В
rds on - drain-source resistance	200mО© @ 9A,10V
transistor polarity	N Channel
vds - drain-source breakdown voltage	600V
vgs - gate-source voltage	5V @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c	18A(Tc)
power dissipation-max (ta=25в°c)	30W(Tc)
монтаж транзистора	Through Hole
drain source on state resistance	0.175Ом

Отзывов нет

Кнопки