STF13N65M2, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 650 В, 10 А, 0.37 Ом, TO-220FP, Through Hole
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: STF13N65M2
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
МОП-транзистор N-channel 650 V, 0.37 Ohm typ., 10 A MDmesh M2 Power МОП-транзистор in TO-220FP package
| Основные | |
| вес, г | 0.42 |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Through Hole |
| operating temperature | 150В°C (TJ) |
| package | Tube |
| package / case | TO-220-3 Full Pack |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| вид монтажа | Through Hole |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| подкатегория | MOSFETs |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| тип продукта | MOSFET |
| торговая марка | STMicroelectronics |
| упаковка / блок | TO-220FP-3 |
| eccn | EAR99 |
| htsus | 8541.29.0095 |
| серия | STF13N65M2 |
| reach status | REACH Unaffected |
| supplier device package | TO-220FP |
| время нарастания | 7.8 ns |
| время спада | 12 ns |
| коммерческое обозначение | MDmesh |
| factory pack quantity | 1000 |
| manufacturer | STMicroelectronics |
| maximum operating temperature | +150 C |
| mounting style | Through Hole |
| product category | MOSFET |
| product type | MOSFET |
| series | MDmeshв„ў M2 -> |
| subcategory | MOSFETs |
| pd - рассеивание мощности | 25 W |
| количество каналов | 1 Channel |
| base product number | STF13 -> |
| configuration | Single |
| fall time | 12 ns |
| rise time | 7.8 ns |
| number of channels | 1 Channel |
| Вес и габариты | |
| tradename | MDmesh |
| технология | Si |
| конфигурация | Single |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| pd - power dissipation | 25 W |
| id - непрерывный ток утечки | 10 A |
| qg - заряд затвора | 17 nC |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 370 mOhms |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| канальный режим | Enhancement |
| полярность транзистора | N-Channel |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| типичное время задержки выключения | 38 ns |
| типичное время задержки при включении | 11 ns |
| channel mode | Enhancement |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 10A (Tc) |
| drain to source voltage (vdss) | 650V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 10V |
| fet type | N-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 17nC @ 10V |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 590pF @ 100V |
| power dissipation (max) | 25W (Tc) |
| rds on (max) @ id, vgs | 430mOhm @ 5A, 10V |
| vgs (max) | В±25V |
| vgs(th) (max) @ id | 4V @ 250ВµA |
| rds on - drain-source resistance | 370 mOhms |
| transistor polarity | N-Channel |
| vds - drain-source breakdown voltage | 650 V |
| vgs - gate-source voltage | 25 V |
| id - continuous drain current | 10 A |
| typical turn-on delay time | 11 ns |
| typical turn-off delay time | 38 ns |
| qg - gate charge | 17 nC |
| transistor type | 1 N-Channel |
| vgs th - gate-source threshold voltage | 2 V |
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26 - Нажмите для заказа
