STF11N60DM2, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 10 А, 0.37 Ом, TO-220FP, Through Hole

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: STF11N60DM2
МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Основные
вес, г1.9
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
340
+
Бонус: 6.8 !
Бонусная программа
Итого: 340
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Основные
вес, г1.9
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки1000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаSTMicroelectronics
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
серияSTF11N60DM2
время нарастания6.3 ns
время спада9.5 ns
коммерческое обозначениеMDmesh
pd - рассеивание мощности25 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки10 A
qg - заряд затвора16.5 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток370 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
vgs - напряжение затвор-исток25 V, + 25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения31 ns
типичное время задержки при включении11.7 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль